|
Описание
|
В края на миналия век микроелектрониката достигна своите пределни възможности по отношение на бързодействие, степен на интеграция, разсейвана мощност и скорост на обработка и предаване на информация. Основните материали на микроелектрониката и неразделната от нея оптоелектроника бяха силиций, германий и бинарните полупроводникови съединения (АЗВ5, А2В6, А4В6), за получаването на които бяха разработени подходящи технологии. Техните електрофизични параметри бяха фиксирани и определяха априорно качествата на приборите, създавани на тяхна основа. Използвайки обаче взаимната разтворимост между полупроводниците от четвърта група, между АЗВ5 съединенията, между А2В6 съединенията и А4В6 съединенията, бяха създадени твърди разтвори с електрофизични параметри, променящи се в зависимост от състава. Именно те станаха базови материали за наноелектрониката и на тяхна основа бяха създадени нови класове прибори с уникални свойства. Предмет на настоящата книга са свойствата на полупроводниковите твърди разтвори, основни технологични методи за тяхното получаване и демонстрация на нови полупроводникови прибори, които не можеха да бъдат създадени на базовите материали за микроелектрониката. В книгата са включени собствени технологични и физични изследвания на автора и негови сътрудници, които са пионерни в страната и са провеждани паралелно с редица водещи научни групи в чужбина.
|
Начало